"Hybride Tunneldiode k�nnte Moore's Law austricksen"
Halbleiterforscher wissen schon seit den 50er Jahren, dass das so genannte Quantum-Confinement von Tunneldioden elektronische Schaltungen schneller macht und dabei hilft, die Zahl der Bauelemente und den Leistungsverbrauch reduzieren. Die aufw�ndige Herstellung beschr�nkte die Produktion von Tunneldioden auf diskrete Versionen und stempelte sie als exotisches Material ab. Jetzt sind Forscher zu dem Schluss gekommen, dass ein neuer CMOS-kompatibler Fertigungsprozess f�r Tunneldioden die Lebensdauer vorhandener Silizium-Herstellungsanlagen verl�ngern k�nnte, und zwar durch ein '�berspringen' des n�chsten Node in der Halbleiterentwicklung gem�� Moore's Law. Im Silizium integrierbare Tunneldioden k�nnten zudem eine ausreichende Stromdichte bieten, damit die HF-Komponenten der Telekommunikationsindustrie nicht mehr auf teure GaAs-Chips aufgebaut werden m�ssten, sondern sich auf Silizium integrieren lassen. Eine komplette Handyschaltung auf einem Chip k�nnte damit Wirklichkeit werden.
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Text: http://www.eetimes.com/story/OEG20031029S0016