"Les diodes tunnels hybrides pourraient d�passer la loi de Moore"
Depuis les ann�es 1950, les chercheurs en semi-conducteurs savent que les effets de confinement quantique des diodes tunnels am�liorent la vitesse du circuit et le traitement du courant tout en r�duisant le nombre de composants et la consommation �nerg�tique. Cependant des difficult�s li�es au traitement ont depuis longtemps rel�gu� les diodes tunnels aux mat�riaux exotiques et aux appareils discrets. Aujourd'hui, certains chercheurs affirment qu'un nouveau proc�d� de diode tunnel compatible CMOS permet d'allonger la dur�e de vie des usines de semi-conducteurs existantes en outrepassant le n�ud suivant dans le calendrier de production des semi-conducteurs (tel qu'il est d�fini par la loi de Moore). Des diodes tunnels int�grables sur du silicium pourraient �galement fournir suffisamment de densit� de courant pour permettre aux composants de radiofr�quence utilis�s pour les t�l�communications d'�tre appliqu�s directement sur du silicium (et non plus sur de co�teuses puces � l'ars�niure de gallium), autorisant ainsi des solutions monopuce pour t�l�phones portables.
Audio Interviews / Interviews on CD
Text: http://www.eetimes.com/story/OEG20031030S0037